特許
J-GLOBAL ID：200903079293009490
磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド、及び該素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-213448
公開番号（公開出願番号）：特開2000-030226
出願日： 1998年07月14日
公開日（公表日）： 2000年01月28日
要約：
【要約】【課題】 MR積層体と磁区制御膜層及びリード導体層との界面における抵抗が低くかつそのばらつきも小さいMR素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド、及び該素子の製造方法を提供する。【解決手段】 磁気検出領域においては、基板側から反強磁性薄膜層、強磁性層の単層構造又は複数の強磁性層の積層構造である第1の強磁性薄膜層、非磁性金属薄膜層、及び強磁性層の単層構造又は複数の強磁性層の積層構造である第2の強磁性薄膜層の順序で積層された積層構造を有しており、磁気検出領域の両端外側領域においては、上述の積層構造のうち少なくとも部分厚の反強磁性薄膜層が存在するMR素子及びこの素子を備えた薄膜磁気ヘッドが提供される。
請求項（抜粋）：
磁気検出領域においては、基板側から反強磁性薄膜層、強磁性層の単層構造又は複数の強磁性層の積層構造である第1の強磁性薄膜層、非磁性金属薄膜層、及び強磁性層の単層構造又は複数の強磁性層の積層構造である第2の強磁性薄膜層の順序で積層された積層構造を有しており、該磁気検出領域の両端外側領域においては、前記積層構造のうち少なくとも部分厚の前記反強磁性薄膜層が存在していることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
Fターム (6件)：
5D034BA03
, 5D034BA15
, 5D034BA18
, 5D034BB02
, 5D034CA01
, 5D034DA07
