特許

J-GLOBAL ID：200903079294727648

ウェーハ、エピタキシャルウェーハ及びそれらの製造方法

発明者： 内藤 直樹 ,  丸山 文明 ,  内山 敦雄
出願人/特許権者： 三益半導体工業株式会社 ,  長野電子工業株式会社 ,  直江津電子工業株式会社 ,  信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-284803
公開番号（公開出願番号）：特開2001-167995
出願日： 2000年09月20日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】環境からのボロン汚染を抑制しデバイス特性に悪影響を与えない品質の安定したシリコンウェーハ、エピタキシャルウェーハ及びそれらの効果的な製造方法を提供する。【解決手段】表面の付着ボロンの量が1×1010atoms/cm2以下であるようにした。

請求項（抜粋）：

表面の付着ボロンの量が1×1010atoms/cm2以下であることを特徴とするシリコンウェーハ。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/02 D ,  H01L 21/205

引用特許：

出願人引用 (4件)

• ボロンレスフィルタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-359317   出願人：山形日本電気株式会社, 株式会社タクマ
• 張り合わせ単結晶シリコン基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152997   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• クリーンルーム用空調機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-210404   出願人：日立プラント建設株式会社
• 多結晶シリコン膜の成膜方法および接続部の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-049860   出願人：ソニー株式会社

審査官引用 (4件)

• 張り合わせ単結晶シリコン基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-152997   出願人：三菱マテリアルシリコン株式会社
• ボロンレスフィルタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-359317   出願人：山形日本電気株式会社, 株式会社タクマ
• 多結晶シリコン膜の成膜方法および接続部の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-049860   出願人：ソニー株式会社
• クリーンルーム用空調機
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-210404   出願人：日立プラント建設株式会社