特許

J-GLOBAL ID：200903079305211681

裏面照射型半導体装置とその製造方法

発明者： 須山 本比呂 ,  村松 雅治 ,  影山 明広
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236939
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082852
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【課題】 本発明は検出面のたわみを解消した裏面照射型半導体装置とその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 裏面照射型半導体装置は、裏面に照射される光や電子等のエネルギー線に感度を有する、周縁部の内側を裏面から薄化して構成された矩形で板状の半導体検出素子と、半導体検出素子を構成する半導体基板の熱膨張率より大きい材料からなる矩形で環状の保護枠と、半導体検出素子の周縁部と保護枠との間に介在されて硬化温度T1で硬化された熱硬化型の接着剤と、半導体検出素子の表面に形成された電極部と保護枠に形成された配線部とを電気的に接続させる接続部材と、半導体検出素子の表面側に充填されて少なくとも周縁部およびその内側を被覆すると共に接着剤の硬化温度T1よりも高い硬化温度T2で硬化させられた充填材とを備える。

請求項（抜粋）：

裏面に照射される光や電子等のエネルギー線に感度を有する、周縁部の内側を前記裏面から薄化して構成された矩形で板状の半導体検出素子と、前記半導体検出素子を構成する半導体基板の熱膨張率より大きい材料からなる矩形で環状の保護枠と、前記半導体検出素子の前記周縁部と前記保護枠との間に介在されて硬化温度T1で硬化された熱硬化型の接着剤と、前記半導体検出素子の表面に形成された電極部と前記保護枠に形成された配線部とを電気的に接続させる接続部材と、前記半導体検出素子の前記表面側に充填されて少なくとも前記周縁部およびその内側を被覆すると共に前記接着剤の硬化温度T1よりも高い硬化温度T2で硬化させられた充填材と、を備える裏面照射型半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/28 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (6件)：

H01L 23/30 E ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/28 J ,  H04N 5/335 F ,  H01L 23/30 B ,  H01L 27/14 D

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体エネルギー線検出器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-133666   出願人：浜松ホトニクス株式会社