特許

J-GLOBAL ID：200903079309881894

磁性多層装置

発明者： ヘイス マルティヌス アデラ マリア ,  ファン ハウテン ヘンドリク
出願人/特許権者： フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ
代理人 (1件)： 杉村 暁秀 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-512448
公開番号（公開出願番号）：特表平9-506479
出願日： 1995年09月21日
公開日（公表日）： 1997年06月24日
要約：

【要約】磁性多層装置(1)は、共鳴・トンネリング 二重・障壁構造(RTDBS)(7)を具える介在層状構造により分離される磁性材料の2つの層(3,5)を具えている。かかる装置(1)では、磁性層(3,5)間の交換連結は電界に対するRTDBS(7)の影響により修正される。このようにして、磁性層(3,5)の磁化(M1,M2)の形態、かくて装置(1)により発生される正味の磁束は電気的に調整される。この装置(1)はなかんずく磁気記録ヘッドで適用される。

請求項（抜粋）：

介在層状構造により分離される磁性材料の2つの層を具えた磁性多層装置において、その介在層状構造が2つの障壁層間にはさまれた中間層を有する共鳴・トンネリング 二重・障壁構造(RTDBS)を具えることを特徴とする磁性多層装置。

IPC (3件)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/31 ,  G11B 5/39

FI (3件)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/31 Z ,  G11B 5/39