特許
J-GLOBAL ID：200903079310363112
金属基材へのカーボン被膜形成法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高畑 正也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-034250
公開番号（公開出願番号）：特開平6-228754
出願日： 1993年01月29日
公開日（公表日）： 1994年08月16日
要約：
【要約】【目的】 金属基材の表面に400°C程度の低温CVD法により密着性に優れるカーボン被膜を効率よく形成することができる金属基材へのカーボン被膜形成法を提供する。【構成】 金属基材の表面にニッケルめっきを施したのち、該ニッケルめっき面の表面温度が200〜600°Cに上昇する範囲で放射線を照射する。ついで、放射線照射面に炭化水素ガスを熱分解するCVD法によりカーボン被覆層を気相析出させる。放射線としては、赤外線、可視光線または紫外線が好ましく用いられる。
請求項（抜粋）：
金属基材の表面にニッケルめっきを施したのち、該ニッケルめっき面の表面温度が200〜600°Cに上昇するエネルギー範囲で放射線を照射し、ついで放射線照射面に炭化水素ガスの熱分解によるCVDを介してカーボン被覆層を気相析出させることを特徴とする金属基材へのカーボン被膜形成法。
IPC (3件)：
C23C 16/26
, C23C 16/02
, C30B 29/02
