特許
J-GLOBAL ID：200903079313532861
フォトリソグラフィー工程の露光方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-331695
公開番号（公開出願番号）：特開平10-172887
出願日： 1996年12月12日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 工程数を増加させる事無く反射率の異なる半導体基板上に於いても安定性ある寸法制御可能なフォトリソグラフィーの露光方法を提供する。【解決手段】 予め、所望工程の半導体基板を用い、前記半導体基板の反射率と線幅との相関係数、及び露光量と線幅との相関係数を求め、相互の相関係数から半導体基板の反射率が変化した際に、同一寸法を得る為の露光量の増減を行う補正量を算出した上で、露光装置の露光制御系に設定を行う工程と、ステップ アンド リピート法にて露光を行う際、各露光ショットの露光に先立って各露光ショット毎に半導体基板の反射率を投影レンズを透過した状態で、もしくは透過しない状態の何れかで測定する工程(4)と、前記の工程で測定した反射率と前記補正量とを用いて、各露光ショット単位で露光の補正を行って露光を行う工程(5)とを具備する。
請求項（抜粋）：
半導体基板を順次脱水ベーク処理、HMDS処理、プリベーク処理、レジストコート処理、露光、現像、ポストベーク処理を行う事で所望寸法から成るレジストパターン形成を行う工程の一環として、ステップ アンドリピート法を用いた縮小投影露光装置にてg線、i線、X線、Krf等の露光波長の如何に係わらず特定単波長、もしくは広帯域幅波長を用い、レチクル上のパターンを半導体基板上に縮小投影する露光を行うフォトリソグラフィーの露光方法に於いて、予め、所望工程の半導体基板を用い、前記半導体基板の反射率と線幅との相関係数、及び露光量と線幅との相関係数を求め、相互の相関係数から半導体基板の反射率が変化した際に、同一寸法を得る為の露光量の増減を行う補正量を算出した上で、露光装置の露光制御系に設定を行う工程と、ステップ アンド リピート法にて露光を行う際、各露光ショットの露光に先立って各露光ショット毎に半導体基板の反射率を投影レンズを透過した状態(TTL ON LENS)で、もしくは透過しない状態(TTL OFF LENS)の何れかで測定する工程と、前記の工程で測定した反射率と前記補正量とを用いて、各露光ショット単位で露光の補正を行って露光を行う工程と、を具備することを特徴とするフォトリソグラフィーの露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 516 D
, G03F 7/20 521
, H01L 21/30 502 G
