特許

J-GLOBAL ID：200903079317209860

エッチング方法およびエッチング装置

発明者： 甲斐田 昌宏
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山口 邦夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-330826
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134471
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】多層膜のエッチングでの線幅のばらつきを抑える。【解決手段】エッチング処理を複数回繰り返すことで、多層膜のエッチング処理を行うようにしたエッチング方法において、直前にエッチングしたときに使用した半導体基体のチャンバーに対する直前の基準位置θ1を、次の基準位置θ2に再調整した状態で、次のエッチング処理を行う。2回以上エッチング処理を行うときには、半導体基体であるウェハーのチャンバーに対する位置を変更する。具体的には最初の位置に対して180°±30°の範囲で再調整する。ウェハーを180°回転させて次のエッチング処理を行うと、直前にエッチング処理したチャンバーにおける固有の影響(チャンバー内におけるエッチング速度の違いや、マイクロローディング効果による線幅の差異)をほぼ相殺することができる。したがって均一な線幅をもったエッチング処理を実現できる。

請求項（抜粋）：

エッチング処理を複数回繰り返すことで、多層膜のエッチング処理を行うようにしたエッチング方法において、直前にエッチングしたときに使用した半導体基体のチャンバーに対する直前の基準位置θ1を、次の基準位置θ2に再調整した状態で、次のエッチング処理を行うようにしたことを特徴とするエッチング方法。

Fターム (10件)：

5F004AA01 ,  5F004BA04 ,  5F004BB18 ,  5F004BC06 ,  5F004CA05 ,  5F004DA26 ,  5F004DB02 ,  5F004DB17 ,  5F004DB23 ,  5F004EA28