特許
J-GLOBAL ID：200903079317889926
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-206669
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047703
出願日： 1991年08月19日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板上に低抵抗のコンタクトを形成する製造方法に関し,パーティクルが発生しないような条件で, かつポリSi成長へ 500°Cの高温で出し入れしたまま, 低抵抗, 且つ, 均一なコンタクトを得ることを目的とする。【構成】 Si基板1上にSiO2膜3を形成する工程と, SiO2膜3にコンタクト窓4を開口する工程と, Si基板1上に, コンタクト窓4を覆ってポリSi膜5を形成する工程と, ポリSi膜5にAsイオン6を注入する工程と, 続いて, ポリSi膜6にPイオン7を注入する工程と, Si基板1を熱処理して, Si基板1内にコンタクト補償拡散層8を形成する工程とを含むように構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板(1) 上に二酸化シリコン膜(3) を形成する工程と,該二酸化シリコン膜(3) にコンタクト窓(4) を開口する工程と,該シリコン基板(1) 上に, 該コンタクト窓(4) を覆って多結晶シリコン膜(5)を形成する工程と,該多結晶シリコン膜(5) に砒素イオン(6) を注入する工程と,続いて, 該多結晶シリコン膜(6) に燐イオン(7) を注入する工程と,該シリコン基板(1) を熱処理して, 該シリコン基板(1)内にコンタクト補償拡散層(8) を形成する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/90
