特許

J-GLOBAL ID：200903079322942061

III族窒化物半導体素子の製造方法

発明者： 後藤 順 ,  五島 滋雄
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-055970
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244568
出願日： 2000年02月28日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：

【要約】【課題】本願発明は、エッチング深さを精密に制御するIII族窒化物半導体の加工方法、並びにIII族窒化物半導体素子の製造方法を提供することを目的としている。【解決手段】本願発明の骨子は、プラズマを用いたIII族窒化物半導体層の加工工程を有し、前記加工工程におけるその結晶に含まれる所望元素、例えばInに対応したプラズマ発光のスペクトルの変化により加工の深さを制御する半導体素子の製造方法である。

請求項（抜粋）：

プラズマを発生する状態でIII族窒化物半導体層を有する半導体積層体を加工するに際し、その半導体積層体に含まれる所望元素に対応したプラズマ発光のスペクトルの変化により加工の深さを制御することを特徴とするIII族窒化物半導体素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01S 5/22 ,  H01L 21/3065 ,  H01S 5/343 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

H01S 5/22 ,  H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/302 E

Fターム (29件)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB11 ,  5F004BB18 ,  5F004BB26 ,  5F004CB02 ,  5F004DA04 ,  5F004DB19 ,  5F004EA23 ,  5F041AA41 ,  5F041AA43 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA74 ,  5F073AA13 ,  5F073AA45 ,  5F073AA53 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AA89 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA29