セルフクリ-ニングイオンドーピング装置およびその方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀田実 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-148141
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340165
出願日： 1999年05月27日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】イオン源内部のアノード電極を装置を大気開放してメンテナンスすることなく、クリーニングすることができ、これにより、不純物注入特性の信頼性を向上し、歩留まりを向上することができ、さらに装置のメンテナンスサイクルおよびアノード電極の交換サイクルを延ばし、生産性を向上させることができるイオンドーピング装置とその方法を提供する。【解決手段】アノード電極7またはイオン源内壁1aをスパッタリングするための直流電圧を発生するスパッタ電源32と、アーク電源22の正極をアノード電極7またはチャンバ内壁の一方に切り替え可能な第1切替装置34と、スパッタ電源の正極をアーク電源の正極と接続/切断可能な第2切替装置36と、スパッタ直流電源の負極をアノード電極またはチャンバ内壁の他方に切り替え可能な第3切替装置38とを備える。

請求項（抜粋）：

アノード電極(7)またはイオン源内壁(1a)をスパッタリングするための直流電圧を発生するスパッタ電源(32)と、アーク電源(22)の正極をアノード電極(7)またはチャンバ内壁の一方に切り替え可能な第1切替装置(34)と、スパッタ電源の正極をアーク電源の正極と接続/切断可能な第2切替装置(36)と、スパッタ直流電源の負極をアノード電極またはチャンバ内壁の他方に切り替え可能な第3切替装置(38)と、を備えたことを特徴とするセルフクリ-ニングイオンドーピング装置。

IPC (5件)：

H01J 37/317 , C23C 14/48 , H01J 27/02 , H01J 37/08 , H01L 21/265

FI (5件)：

H01J 37/317 Z , C23C 14/48 Z , H01J 27/02 , H01J 37/08 , H01L 21/265 603 Z

Fターム (7件)：

4K029DA09 , 4K029DC27 , 4K029DE00 , 5C030DD05 , 5C030DE01 , 5C030DE10 , 5C034CC01

引用特許：

審査官引用 (1件)

イオン源
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-018072 出願人：石川島播磨重工業株式会社

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