特許

J-GLOBAL ID：200903079328990440

液晶表示装置とその製造方法及び液晶表示装置に用いられるTFTアレイ基板とその製造方法

発明者： 小林 和弘 ,  中村 伸宏 ,  遠藤 幸雄
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  株式会社アドバンスト・ディスプレイ
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-138547
公開番号（公開出願番号）：特開平11-242241
出願日： 1998年05月20日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：

【要約】【課題】 TFTの静電破壊を防止するためにゲート配線2とソース配線9を短絡させた構造を有するアクティブマトリクス型液晶表示装置において、TFTアレイ基板の製造における写真製版工程の回数を、従来より減少させ、製造コストの低減およびスループットの向上を図る。【解決手段】 画素電極14が最上層に形成された液晶表示装置において、TFTの静電破壊を防止するためにゲート配線2とソース配線9の短絡を、ドレイン電極11と画素電極14接続のためのコンタクトホール13a形成と同時に形成されたゲート配線2上およびソース配線9上のコンタクトホール13dおよび13cと、画素電極14形成と同時に形成されたコンタクトホール13cおよび13dを介してゲート配線2とソース配線9を接続する接続配線15により行う。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板と、制御電極および制御電極配線と、半導体層と、上記制御電極および制御電極配線と上記半導体層の間に形成された絶縁膜と、上記半導体層と共に半導体素子を構成する第一の電極、第一の電極配線および第二の電極と、上記制御電極、制御電極配線、第一の電極、第一の電極配線および第二の電極の上方に形成された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜上に形成され、上記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記第二の電極と電気的に接続された透明導電膜よりなる画素電極と、上記画素電極構成材料により形成され、上記絶縁膜および上記層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して上記制御電極配線と上記第一の電極配線とを電気的に接続する接続配線とを備えたことを特徴とするTFTアレイ基板。

IPC (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/768 ,  H01L 29/786

FI (3件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 21/90 B ,  H01L 29/78 612 C