特許

J-GLOBAL ID：200903079333714958

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 安田 直樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-394358
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198522
出願日： 2000年12月26日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】絶縁膜の誘電率の更なる向上を図り、かつ能動素子に用いた場合にリーク電流を少なくし、半導体素子の特性の向上を図る。【解決手段】シリコン基板上にシリコン(酸)窒化膜を形成した後、ラジカル酸素の曝露量が1.2×105ラングミュア以下となる条件でラジカル酸化を行うことによって、Si-O-Si結合のうち、120°以下の結合角を有するものが、Si-O-Si結合全体の1%以上、また125°以下の結合角を有するものが結合全体の7%以上存在するようにする。

請求項（抜粋）：

少なくともシリコン基板と、シリコン基板上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極とを備えた素子が形成されている半導体装置において、前記絶縁膜は、少なくともシリコン、酸素、及び窒素をその主成分として含有し、前記絶縁膜中に含まれるSi-O-Si結合のうち120°以下の結合角を有するSi-O-Si結合がSi-O-Si結合全体の1%以上、かつ125°以下の結合角を有するSi-O-Si結合がSi-O-Si結合全体の7%以上存在することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/318 B ,  H01L 21/318 C ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (17件)：

5F040DA00 ,  5F040DA17 ,  5F040EC07 ,  5F040ED03 ,  5F040ED06 ,  5F040EH02 ,  5F040EH05 ,  5F040EK05 ,  5F040EL02 ,  5F058BA20 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF55 ,  5F058BF61 ,  5F058BF64 ,  5F058BH20 ,  5F058BJ01