特許
J-GLOBAL ID：200903079339436399
アパーチャの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
市之瀬 宮夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312596
公開番号（公開出願番号）：特開平7-140643
出願日： 1993年11月18日
公開日（公表日）： 1995年06月02日
要約：
【要約】【目的】 作製が容易で精度の高い荷電ビーム露光装置用のアパーチャの製造方法を提供する。【構成】 荷電ビームを用いた露光方法に用いられるアパーチャ9の製造方法であって、導電性のある例えばSi単結晶で作製された支持基板1上に支持基板と熱膨張率がほぼ等しく、導電性が高く、支持基板のエッチング液に化学的に浸されない材料、例えばPtのような金属膜6を形成し、この金属膜6をイオンビーム13で部分的に除去することにより金属膜パターン7を形成し、次いで支持基板1の裏面側からのバックエッチングを行う。
請求項（抜粋）：
荷電ビームを用いた露光方法に用いられ、開口部を有する第1の膜領域と、該第1の膜領域を支持し且つ該第1の膜領域よりも厚い第2の膜領域とを有し、かつ該第1の膜領域を形成する主たる材料と該第2の膜領域を形成する主たる材料が異種材料からなるアパーチャの製造方法において、(イ)前記第2の膜領域上に前記第1の膜領域を形成し、(ロ)前記第1の膜領域上を部分的に除去することによりパターンを形成し、(ハ)その後前記第2の膜領域をエッチングしてなることを特徴とするアパーチャの製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
審査官引用 (3件)
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特開昭53-058775
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特開昭53-058775
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特開平4-053951
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