特許
J-GLOBAL ID：200903079340595700
プラズマ処理方法及びプラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高月 亨
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-062984
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196448
出願日： 1993年02月28日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 プラズマの分布を制御して処理室内壁に向うように構成でき、プラズマクリーニングやプラズマCVD、RIE等の処理を行う場合も効果的かつ均一に処理を実現できるプラズマ処理方法、及びプラズマ処理装置を提供する。【構成】 処理室1内にプラズマを発生させてプラズマ処理を行うプラズマ処理において、処理室の内壁面に向う磁界31を印加することにより、プラズマを処理室内壁面に向う方向あるいは被処理面に平行な方向で分布させ、あるいは更に回転32磁界31を印加することによりプラズマを回転させて均一かつ効率の良い処理を達成する。
請求項（抜粋）：
処理室内にプラズマを発生させてプラズマ処理を行うプラズマ処理方法において、処理室の内壁面に向う磁界を印加することにより、プラズマを処理室内壁面に向う方向で分布させる構成としたことを特徴とするプラズマ処理方法。
IPC (5件)：
H01L 21/302
, C23C 16/50
, C23F 4/00
, H01L 21/205
, H01L 21/31
