特許

J-GLOBAL ID：200903079341468168

イオン電流密度測定方法および測定装置並びに半導体デバイス製造方法

発明者： 三瀬 信行 ,  臼井 建人 ,  池川 正人 ,  野尻 一男 ,  津国 和之 ,  小野 哲郎
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 作田 康夫
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999001319
公開番号（公開出願番号）：WO2000-055900
出願日： 1999年03月17日
公開日（公表日）： 2000年09月21日
要約：

【要約】絶縁体6の上に設けられた半導体又は導体1と、その上に形成され、局所的にその厚さが薄くされた領域を有する絶縁体2と、絶縁体2の上に設置された第2の導体4と、半導体又は導体1あるいは第2の導体4のいずれか一方はその表面から略全立体角が臨める第1の領域と、他方はその表面から臨む立体角が前記第1の領域よりも小さくされた第2の領域とを有するウエハをプラズマに曝して半導体又は導体1と第2の導体4に電圧を印加して絶縁体2が絶縁破壊に至る時間を測定し、それに必要な電荷と、第2の導体4の表面に露出した面積によりイオン電流密度を求める。したがって、ウエハに入射するイオンの電流密度をウエハ上で測定でき、量産に適したものとすることができる。

請求項（抜粋）：

絶縁体の上に設けられた半導体又は導体と、前記半導体又は導体の上に形成され、局所的にその厚さが薄くされた領域を有する絶縁体と、前記絶縁体の上に設置された第2の導体と、前記半導体又は導体あるいは前記第2の導体のいずれか一方はその表面から略全立体角が臨める第1の領域と、他方はその表面から臨む立体角が前記第1の領域よりも小さくされた第2の領域とを有する前記ウエハを前記プラズマに曝して前記半導体又は導体と前記第2の導体に電圧を印加して前記絶縁体が絶縁破壊に至る時間を測定し、前記絶縁体が前記電圧に応じて絶縁破壊に至るのに必要な電荷と、前記第2の導体の表面に露出した面積によりイオン電流密度を求めることを特徴とするイオン電流密度測定方法。

IPC (1件)：

H01L 21/66