タンデム型光起電力素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：高橋詔男 , 志賀正武 , 青山正和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-226547
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071716
出願日： 2002年08月02日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】非晶質シリコン系素子をトップセルと、微結晶シリコン系素子をボトムセルとするタンデム型光起電力素子において、トップセルを構成する非晶質i層の光劣化現象を抑制するために薄膜化したうえで、かつ良好な電流値を有するタンデム型光起電力素子を提供することにある。【解決手段】光透過性基板1上に、非晶質シリコン系素子のトップセル11と、微結晶シリコン系素子のボトムセル12とが順次積層されたタンデム型光起電力素子20であって、ボトムセル12とトップセル11との間に、金属の中間層6が設けられ、この中間層6には、少なくとも一部に開口部21、22が設けられている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

光透過性基板上に、非晶質シリコン系素子のトップセルと、微結晶シリコン系素子のボトムセルとが順次積層されたタンデム型光起電力素子であって、前記ボトムセルと前記トップセルとの間に、金属の中間層が設けられ、該中間層には、少なくとも一部に開口部が設けられていることを特徴とするタンデム型光起電力素子。

IPC (2件)：

H01L31/04 , H01L21/205

FI (2件)：

H01L31/04 W , H01L21/205

Fターム (19件)：

5F045AA08 , 5F045AB02 , 5F045AC01 , 5F045AC03 , 5F045AC19 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045BB16 , 5F045CA13 , 5F051AA04 , 5F051AA05 , 5F051CA07 , 5F051CA16 , 5F051DA04 , 5F051DA18 , 5F051DA20 , 5F051FA04 , 5F051GA03 , 5F051HA20

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平1-128476
集積型ハイブリッド薄膜光電変換装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-305809 出願人：鐘淵化学工業株式会社
特開昭63-077167

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