集積回路デバイスにおける効果的レーザー・ブローのためのヒューズ構造

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：合田潔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-114636
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017877
出願日： 1996年05月09日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【課題】溶断エネルギーを最小にするヒューズ・リンクを提供する。【解決手段】半導体基板上に付着された絶縁層上に形成され、集積回路を構成する素子間の接続を提供する相互接続ラインを有する集積回路において、レーザー・ビームによりプログラム可能なヒューズ構造が、相互接続ラインの2つのセグメント10を接続する溶断式の細長のヒューズ・リンクと、ヒューズ・リンクと共面にあってその一部を成し、各々がヒューズ・リンクから横断方向に伸びて、レーザー・ビームにより放出されるエネルギーを吸収する複数のフィンガ12、16と、前記ヒューズ・リンクの下に配置され、レーザー・ビームにより提供されるエネルギーをヒューズ・リンクに反射する反射プレートとを含み、フィンガ及び反射プレートの組み合わせが、ヒューズ構造を切るために要するレーザー・ビームにより放出されるエネルギーを低減する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に付着された絶縁層上に形成され、集積回路を構成する素子間の接続を提供する相互接続ラインを有する前記集積回路において、レーザー・ビームによりプログラム可能なヒューズ構造であって、前記相互接続ラインの2つのセグメントを接続する溶断式の細長の金属ヒューズ・リンクと、前記ヒューズ・リンクと実質的に同一平面上にあってその一部を成し、前記ヒューズ・リンクから横断方向に伸びて、前記レーザー・ビームにより放出されるエネルギーを吸収し、前記ヒューズ構造を切るために要する前記レーザー・エネルギーを低減する、少なくとも1つのフィンガと、を含む、ヒューズ構造。

IPC (7件)：

H01L 21/82 , B23K 26/00 , H01L 21/461 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/108 , H01L 21/8242

FI (5件)：

H01L 21/82 F , B23K 26/00 C , H01L 21/461 , H01L 27/04 E , H01L 27/10 691

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開昭59-089434
特開平1-169942
特許第5420455号

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審査官引用 (5件)

特開昭59-089434
特開平1-169942
特開平2-302059

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