特許

J-GLOBAL ID：200903079343794984

アクティブマトリクス回路

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-140790
公開番号（公開出願番号）：特開平9-307117
出願日： 1996年05月10日
公開日（公表日）： 1997年11月28日
要約：

【要約】【目的】 アクティブマトリクス回路とそれを駆動するドライバ回路とを同一基板上に一体化して有するモノリシック型アクティブマトリクス回路において、ドライバ回路およびアクティブマトリクス回路の双方の特性を向上せしめる構造および作製方法を提供する。【構成】 ドライバ回路内の少なくともシフトレジスタを構成するTFTを、弱いN型もしくはP型の不純物領域(低濃度不純物領域)を有する構造とする。これに対し、アクティブマトリクス内のスイッチングトランジスタには低濃度不純物領域を有さない構造とし、必要に応じては複数のトランジスタを直列した構造とする。

請求項（抜粋）：

アクティブマトリクス回路とそれを駆動するためのドライバ回路とを絶縁表面を有する同一基板上に形成したモノリシック型アクティブマトリクス回路において、前記ドライバ回路はNチャネル型トランジスタとPチャネル型トランジスタとが配置されており、前記ドライバ回路のNチャネル型トランジスタには低濃度不純物領域が設けられ、前記アクティブマトリクス回路のトランジスタには低濃度不純物領域が設けられておらず、前記ドライバ回路は基板に平行な方向に結晶成長した結晶性珪素膜を利用して構成されていることを特徴とするアクティブマトリクス回路。

IPC (3件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/20

FI (4件)：

H01L 29/78 627 G ,  H01L 21/20 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 A