特許

J-GLOBAL ID：200903079345853066

PMOS単一ポリ非揮発性メモリ構成体

発明者： シャン-デ ティー. チャン
出願人/特許権者： プログラマブル マイクロエレクトロニクス コーポレイション
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-310708
公開番号（公開出願番号）：特開平10-070203
出願日： 1996年11月21日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 改良したPチャンネル単一ポリメモリセルを提供することを目的とする。【解決手段】 P+ソース(20)とP+ドレイン(22)及びそれらの間に延在するチャンネル(30)を具備するPチャンネル単一ポリ非揮発性メモリ(10)がNウエル(12)内に形成されている。上側に存在するポリシリコンフローティングゲート(26)は薄い酸化物層(34)によってNウエルから分離されている。フローティングゲート下側のNウエルの一部の中にP型拡散領域(72)が形成されており、それによりフローティングゲートと容量結合されている。このP型拡散領域内に本セルの制御ゲート(36)として機能するN型拡散領域(74)が形成されている。このP型拡散領域は、制御ゲートからNウエルへの電流経路を発生させることなしにNウエルに印加した電圧を超える電圧を制御ゲートを印加することが可能であるように、制御ゲートをNウエルから電気的に分離させている。

請求項（抜粋）：

Pチャンネル非揮発性メモリセルにおいて、Nウエル内に形成したP+ソース及びP+ドレイン、前記ソースと前記ドレインとの間に延在するチャンネル、前記チャンネルの上側に設けたフローティングゲート、前記Nウエル内に形成されており且つ前記フローティングゲートの第一部分の下側に設けられており本セルの制御ゲートとして機能する第一拡散領域、前記Nウエル内に形成されており且つ前記フローティングゲートの第二部分の下側に設けられており本セルの消去ゲートとして機能する第二拡散領域、を有することを特徴とするメモリセル。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434