特許

J-GLOBAL ID：200903079348583140

表面放射半導体レーザ

発明者： フランソワ・ブリユエ ,  ジヨエル・ジヤケ ,  ポール・サレ ,  レオン・ゴールドスタイン ,  パトリツク・ガラベデイアン ,  クリストフ・スタルク ,  ジユリアン・ブカール
出願人/特許権者： アルカテル・アルストム・コンパニイ・ジエネラル・デレクトリシテ
代理人 (1件)： 川口 義雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-092114
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321952
出願日： 1998年04月03日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 所望される特性を有し、光ファイバ通信網内で使用することができ、経済的に製造できる表面放射半導体レーザを提供する。【解決手段】 このレーザの二つの半導体層は、このレーザのポンピングを行う電流を、N型ドーピング半導体ブラッグミラー(20)から、光増幅構造(12、14、16)に属するP型ドーピング注入層(16)に流すことができるトンネル接合を形成する。このブラッグミラーは、同じドーピングを有する同じ型の別のミラー(18)と協働して、この構造をこのレーザのオプティカルキャビティ内に含む。変形形態では、前記ポンピング電流用の閉じ込め手段が構成されるように、トンネル接合を埋め込み、位置を決めることができる。

請求項（抜粋）：

オプティカルキャビティ(18および20)と、このキャビティ内に位置し、レーザのポンピング電流の方向を規定する光増幅構造(12、14、16)とを含む表面放射半導体レーザであって、前記オプティカルキャビティが、このレーザに属し同じ種類の伝導性を有する二つの両端の半導体層(8、20)の間に電気的に直列に設置され、トンネル接合を構成するレーザの二つの半導体層が、このキャビティ内に光学的に直列に設置され、前記ポンピング電流が前記光増幅構造内およびトンネル接合内をこの接合とは逆方向に直列に通過できるようにすることを特徴とする表面放射半導体レーザ。