特許
J-GLOBAL ID:200903079349322154
半導体装置およびその製造方法
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
深見 久郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-210778
公開番号(公開出願番号):特開2001-044366
出願日: 1999年07月26日
公開日(公表日): 2001年02月16日
要約:
【要約】【課題】 設計ルールの下で、正規の電子回路配線の配置変更を伴うような配線変更をすることなく予備の電子回路を使用可能にした半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】 予備の電子回路配線である第2メタル配線7a,7b等を、予備的インバータ回路8bが形成されている領域に予め形成しておく。
請求項(抜粋):
半導体基板の主表面に形成された複数の正規の電子回路と、前記半導体基板の前記主表面に形成された予備の電子回路と、前記半導体基板の前記主表面上において、該主表面に略平行な複数の層のぞれぞれに実質的に互いに平行に延びるようにして、かつ、適用される設計ルールにおいて略最小限界幅に形成された正規の導電層を含む、前記正規の電子回路同士を電気的に接続する正規の電子回路配線とを備え、前記正規の導電層同士の間隔は、所定の領域以外の略全ての領域において、前記設計ルールの下で、新たに他の導電層を形成することができない程度に設定され、前記所定の領域に、前記予備の電子回路を使用するための配線変更が必要となった場合において、前記設計ルールの下で、前記正規の電子回路配線の配置変更を伴うような配線変更をすることなく、前記予備の電子回路と前記正規の電子回路配線とを接続する電子回路配線を形成し得る、電子回路配線用予備経路が設けられた、半導体装置。
IPC (4件):
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/82
, H01L 21/3205
FI (3件):
H01L 27/04 D
, H01L 21/82 W
, H01L 21/88 Z
Fターム (39件):
5F033KK01
, 5F033NN02
, 5F033UU02
, 5F033UU04
, 5F033VV01
, 5F033VV17
, 5F033XX36
, 5F038CA03
, 5F038CA18
, 5F038CD05
, 5F038CD09
, 5F038CD10
, 5F038CD15
, 5F038DF11
, 5F038DT15
, 5F038DT18
, 5F038EZ20
, 5F064BB05
, 5F064BB07
, 5F064BB31
, 5F064DD18
, 5F064DD50
, 5F064EE05
, 5F064EE09
, 5F064EE12
, 5F064EE14
, 5F064EE15
, 5F064EE16
, 5F064EE17
, 5F064EE19
, 5F064EE22
, 5F064EE26
, 5F064EE27
, 5F064EE32
, 5F064EE47
, 5F064EE60
, 5F064FF04
, 5F064FF12
, 5F064FF48
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