特許
J-GLOBAL ID：200903079354472830

圧電磁器の製造方法および圧電素子の製造方法

発明者：
七尾 勝

七尾 勝 について

, 
坂本 英也

坂本 英也 について

, 
塚田 岳夫

塚田 岳夫 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-359257
公開番号（公開出願番号）：特開2006-193414
出願日： 2005年12月13日
公開日（公表日）： 2006年07月27日
要約：
【課題】低温で焼成することができると共に、低酸素還元雰囲気中で焼成することができる圧電磁器を提供する。【解決手段】組成物(Pba-b Meb )[(Zn1/3 Nb2/3 )x Tiy Zrz ]O3 (0.96≦a≦1.03、0≦b≦0.1、x+y+z=1、0.05≦x≦0.40、0.1≦y≦0.5、0.2≦z≦0.6、MeはSr,Ca,Ba)を含む仮焼粉に対して、PbOを0.01質量%以上1.5質量%以下、CuOを1.0質量%以下の範囲内で添加して、焼成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
化1または化2で表される組成物を含む仮焼粉に対して、鉛(Pb)の原料を酸化物(PbO)に換算した前記組成物に対する割合で0.01質量%以上1.5質量%以下の範囲内で添加すると共に、銅(Cu)の原料を酸化物(CuO)に換算した前記組成物に対する割合で1質量%以下の範囲内で添加して焼成する工程を含むことを特徴とする圧電磁器の製造方法。 (化1) Pba [(Zn1/3 Nb2/3 )x Tiy Zrz ]O3
IPC (5件)：
C04B 35/49 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/24 ,  H01L 41/083 ,  H01L 41/22
FI (5件)：
C04B35/49 S ,  H01L41/18 101F ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 S ,  H01L41/22 Z
Fターム (15件)：
4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA14 ,  4G031AA15 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA25 ,  4G031AA26 ,  4G031AA32 ,  4G031AA34 ,  4G031BA10 ,  4G031GA07
引用特許：
出願人引用 (5件)
  • 特公昭44-17344号公報
  • 圧電セラミック組成物
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-372987   出願人：ティーディーケイ株式会社
  • 特公昭45-39977号公報
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審査官引用 (10件)
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