特許

J-GLOBAL ID：200903079355364667

磁気素子、磁気メモリおよび光磁気素子

発明者： 池川 純夫 ,  元井 雄一
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-241567
公開番号（公開出願番号）：特開平11-086236
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 1999年03月30日
要約：

【要約】【課題】 トンネルバリヤ層を良好に形成することができると共に、微細化しても性能劣化しない強磁性トンネル接合を有し、多値記憶が可能な磁気メモリ、高感度な磁気センサ、非線形光磁気素子などとして使用することが可能な磁気素子が求められている。【解決手段】 R1-x Ax MO3 (R=Y,希土類元素、A=Ca,Sr,Ba、M=Mn,Cr,Fe,Co,Ni、 0≦ x≦ 1)で実質的に表されるペロブスカイト型の酸化物を 2単位胞以上の厚さで形成した複数のMペロブスカイト層と、これらMペロブスカイト層間に配置され、上記したMペロブスカイトと組み合わせて層状ペロブスカイト酸化物を形成し得る絶縁性のブロック層とを具備し、これらMペロブスカイト層と絶縁性のブロック層とにより形成された強磁性トンネル接合を有する磁気素子である。

請求項（抜粋）：

一般式:R1-x Ax MO3(式中、RはYおよび希土類元素から選ばれる少なくとも 1種の元素を、AはCa、SrおよびBaから選ばれる少なくとも 1種の元素を、MはMn、Cr、Fe、CoおよびNiから選ばれる少なくとも 1種の元素を示し、 xは 0≦ x≦1を満足する数である)で実質的に表されるペロブスカイト型の酸化物を 2単位胞以上の厚さで形成した複数のMペロブスカイト層を有し、かつ厚さが異なる少なくとも 2層の前記Mペロブスカイト層を有する強磁性層と、少なくとも前記厚さが異なる 2層のMペロブスカイト層間に配置され、前記Mペロブスカイトと組み合わせて層状ペロブスカイト酸化物を形成し得る絶縁性のブロック層からなる絶縁層とを具備し、前記厚さが異なる 2層のMペロブスカイト層と前記絶縁性のブロック層とにより形成された強磁性トンネル接合を有することを特徴とする磁気素子。

IPC (3件)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/18

FI (3件)：

G11B 5/39 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/18