特許
J-GLOBAL ID：200903079355475302
半導体集積回路装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-207211
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045829
出願日： 1993年07月28日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：
【要約】【目的】 静電破壊に対する耐性の高いMOSトランジスタを得る。【構成】 ドレイン拡散領域32d上のメタル配線部分40b,40c,40dにはチャネル幅W方向に沿ってそれぞれ7個ずつのコンタクトホール42b,42c,42dが配列されている。コンタクトホール42bにでは、出力パッドから遠ざかるほどチャネル長さ方向の寸法が大きく設定されている。その結果、出力パッドから遠いコンタクトホール42bほどコンタクトホールのゲート電極側の端からゲート電極34までの距離が短かくなっている。
請求項（抜粋）：
MOSトランジスタのソース拡散領域とドレイン拡散領域上に絶縁膜を介してそれぞれのメタル配線が形成され、前記絶縁膜にはソース拡散領域とドレイン拡散領域でチャネル幅方向に沿ってそれぞれ複数個ずつのコンタクトホールが設けられ、それらのコンタクトホールを介してソース拡散領域とドレイン拡散領域がそれぞれの前記メタル配線と接続されている半導体集積回路装置において、ドレイン拡散領域上のコンタクトホールはメタル配線の端子から遠い位置にあるコンタクトホールほどそのゲート電極側の端とゲート電極との距離が短かくなっていることを特徴とする半導体集積回路装置。
FI (2件)：
H01L 29/78 301 K
, H01L 29/78 301 X
