特許
J-GLOBAL ID：200903079356721552
高誘電率絶縁膜を有する半導体装置とその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
工藤 実
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2002008453
公開番号（公開出願番号）：WO2003-019643
出願日： 2002年08月22日
公開日（公表日）： 2003年03月06日
要約：
半導体装置は、基板と、前記基板の直接上あるいは間接的に上に形成された絶縁膜を具備する。前記絶縁膜は、金属シリケート膜を含み、前記金属シリケート膜中のシリコン濃度は、膜厚方向の中央部で、上部および下部より高い。
請求項（抜粋）：
金属シリケート膜を絶縁膜として有し、前記金属シリケートは、下層部、中央部及び上層部を有し、
前記金属シリケート膜中のシリコン濃度が、前記上層部において、前記中央部より高い半導体装置。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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