特許

J-GLOBAL ID：200903079360098959

ポジ型フォトレジスト組成物

発明者： 佐藤 健一郎 ,  水谷 一良
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小栗 昌平 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-028236
公開番号（公開出願番号）：特開2001-215707
出願日： 2000年02月04日
公開日（公表日）： 2001年08月10日
要約：

【要約】【課題】 半導体デバイスの製造において、レジストパターンのエッジラフネスが改善され、更に低温保存性に優れたポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。【解決手段】 (A)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物(B)特定の構造単位を有する酸分解性ポリシロキサン、(C)特定の溶剤を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。

請求項（抜粋）：

(A)活性光線または放射線の照射により酸を発生する化合物(B)少なくとも下記一般式(I)で示される構造単位を有する酸分解性ポリシロキサン(C)下記溶剤A群から選択される少なくとも1種と下記溶剤B群から選択される少なくとも1種、もしくは溶剤A群から選択される少なくとも1種と下記溶剤C群から選択される少なくとも1種とを含有する混合溶剤A群:プロピレングリコールモノアルキルエーテルアルコキシレートB群:プロピレングリコールモノアルキルエーテル、乳酸アルキル及びアルコキシアルキルプロピオネートC群:γ-ブチロラクトン、エチレンカーボネート及びプロピレンカーボネートのうち少なくとも1種を含有することを特徴とするポジ型フォトレジスト組成物。【化1】式(I)中、L1は-A1-OCO-、-A1-COO-、-A1-NHCO-、-A1-NHCOO-、-A1-NHCONH-、-A1-CONH-、-A1-OCONH-又は-A1-S-を表す。A1はアルキレン基、アリーレン基並びに単環式及び有橋式の脂環構造から選ばれる少なくとも1つの2価の連結基を表す。M1は単結合、アルキレン基、アリーレン基、または単環式もしくは有橋式の脂環構造である2価の連結基を表す。 R'〜R'''はそれぞれ独立にアルキル基、ハロアルキル基、ハロゲン原子、アルコキシ基、トリアルキルシリル基又はトリアルキルシリルオキシ基を表す。

IPC (4件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/039 601 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/075 511 ,  H01L 21/30 502 R

Fターム (13件)：

2H025AA00 ,  2H025AB08 ,  2H025AB15 ,  2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025CC03 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17