並列接続MOSFETの保護装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤田考晴 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-015865
公開番号（公開出願番号）：特開2002-222920
出願日： 2001年01月24日
公開日（公表日）： 2002年08月09日
要約：

【要約】【課題】並列接続した素子のうちどれか1つの素子のゲート制御信号の電位とドレイン電極の電位とを検出することによって並列接続した素子のいずれかが故障したとき、これを検出できる並列接続MOSFETの保護装置を提供する。【解決手段】前記並列接続したMOSFETのうちどれか1つの素子についてソース電位を基準としたドレイン電位と制御信号とを検出して素子異常を報知する素子異常検出装置を設けてなり、前記制御信号は、前記並列接続したMOSFETのうちどれか1つの素子のゲート電極に印加される信号であり、前記素子異常検出装置の検出電位が2つとも同時に高電位となったとき、素子異常を報知することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

2つ以上の素子を並列接続したMOSFETの保護装置であって、前記並列接続したMOSFETのうちどれか1つの素子についてソース電位を基準としたドレイン電位と制御信号とを検出して素子異常を報知する素子異常検出装置を設けてなる並列接続MOSFETの保護装置。

IPC (11件)：

H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 27/06 311 , H01L 21/8234 , H01L 27/088 , H01L 29/78 , H02M 1/00 , H02M 7/48 , H02M 7/5387 , H03K 17/08 , H03K 17/695

FI (9件)：

H01L 27/06 311 A , H02M 1/00 L , H02M 7/48 M , H02M 7/5387 Z , H03K 17/08 C , H01L 27/04 H , H01L 27/08 102 F , H01L 29/78 301 K , H03K 17/687 B

Fターム (55件)：

5F038AV06 , 5F038BH01 , 5F038BH16 , 5F038BH20 , 5F038DF01 , 5F038DT04 , 5F038DT08 , 5F038DT19 , 5F038EZ20 , 5F040DA25 , 5F040DA26 , 5F040DB01 , 5F040DB10 , 5F048AA02 , 5F048AB10 , 5F048AC01 , 5F048BA01 , 5F048CC01 , 5F048CC09 , 5F048CC15 , 5F048CC18 , 5H007AA05 , 5H007BB06 , 5H007CA02 , 5H007CB04 , 5H007CB05 , 5H007CB17 , 5H007CC03 , 5H007DC05 , 5H007FA06 , 5H007FA08 , 5H007FA13 , 5H007GA08 , 5H740AA10 , 5H740BA12 , 5H740BB02 , 5H740BB05 , 5H740BB09 , 5H740BB10 , 5H740MM02 , 5J055AX15 , 5J055AX32 , 5J055AX41 , 5J055AX64 , 5J055BX16 , 5J055CX13 , 5J055CX20 , 5J055DX13 , 5J055DX22 , 5J055DX73 , 5J055EY01 , 5J055EY10 , 5J055EZ57 , 5J055FX05 , 5J055GX01

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