特許

J-GLOBAL ID：200903079367657287

半導体装置およびその製造方法

発明者： 獅子口 清一 ,  青山 亨
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-115558
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315543
出願日： 1992年05月08日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：

【要約】【目的】スタックトキャパシタ構造のDRAMにおいて、全面に半球面状の凹凸を有する蓄積電極を形成して、表面積を増大させてキャパシタ容量を増やす。【構成】P型シリコン基板1にフィールド酸化膜2を形成したのち、ゲート酸化膜3およびゲート電極4を形成する。つぎにソース5aおよびドレイン5bを形成する。つぎに層間絶縁膜6を形成したのち、ドレイン5bに接続する蓄積電極7を形成する。つぎにLPCVD法によりアモルファスシリコン8を成長したのち、エッチバックして各蓄積電極7間を分離する。つぎに500〜600°Cで弗化水素処理を行なったのち、窒素雰囲気でアニールしてHSG-Si膜8aを形成する。

請求項（抜粋）：

MOSFETが形成された半導体基板の一主面上に、CVD法によりアモルファスシリコンを堆積する工程と、前記アモルファスシリコンを選択エッチングしてパターニングする工程と、500〜600°Cで弗化水素処理したのち、酸素分圧1×10-4Torr以下でアニール処理して前記アモルファスシリコンをポリシリコンに結晶化する工程とを含む半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 27/108

FI (2件)：

H01L 27/10 325 C ,  H01L 27/10 325 M