特許

J-GLOBAL ID：200903079375429455

多波長集積化半導体レーザ装置

発明者： 田 中 明
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-043669
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244073
出願日： 1999年02月22日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 結晶成長の回数を可及的に少なくして異なる波長の半導体レーザを近接して形成することを可能にする。【解決手段】 結晶基板上の分離された第1および第2の領域の各領域上に、各々が第1導電型のクラッド層に挟まるように積層された第1乃至第n(n≧2)の活性層41、42と、第1の領域上で最上層となる第nの活性層42上のクラッド層23に形成されたストライプ状の第1導電型と異なる第2導電型の第2のクラッド層23aと、第2領域上で第1乃至第n-1の活性層のうちの1つの活性層41の直上のクラッド層22がストライプ状に露出するように形成された溝部と、溝部の底部で露出しているクラッド層22に形成された第2導電型の第3のクラッド層22aと、を備え、第i(1≦i≦n-1)の活性層の禁制帯幅は第i+1の活性層の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

結晶基板上の分離された第1および第2の領域の各領域上に、各々が第1導電型のクラッド層に挟まるように積層された第1乃至第n(n≧2)の活性層と、前記第1の領域上で最上層となる第nの活性層上のクラッド層に形成されたストライプ状の前記第1導電型と異なる第2導電型の第2のクラッド層と、前記第2領域上で前記第1乃至第n-1の活性層のうちの1つの活性層の直上のクラッド層がストライプ状に露出するように形成された溝部と、前記溝部の底部で露出している前記クラッド層に形成された第2導電型の第3のクラッド層と、を備え、第i(1≦i≦n-1)の活性層の禁制帯幅は第i+1の活性層の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする多波長集積化半導体レーザ装置。

IPC (2件)：

H01S 5/40 ,  H01L 27/15

FI (2件)：

H01S 3/18 680 ,  H01L 27/15 A

Fターム (8件)：

5F073AA13 ,  5F073AA20 ,  5F073AA74 ,  5F073AB06 ,  5F073BA05 ,  5F073CA07 ,  5F073CA14 ,  5F073EA04