特許
J-GLOBAL ID：200903079377200501
絶縁ゲートトランジスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-189891
公開番号（公開出願番号）：特開2001-024184
出願日： 1999年07月05日
公開日（公表日）： 2001年01月26日
要約：
【要約】【課題】オン電圧が低く、しかも破壊耐量の大きい絶縁ゲートトランジスタを提供する。【解決手段】pウェル領域4aとnエミッタ領域6とを、ゲート電極7による自己整合ではなく、チャネル領域17が広くなるようなオフセットdを持つマスクによる不純物濃度分布で形成する。特にオフセット量dを0.5〜5μm の範囲とする。
請求項（抜粋）：
低不純物濃度の第一導電型ドリフト層の表面層に形成された第二導電型ウェル領域と、その第二導電型ウェル領域内に形成された第一導電型エミッタ領域と、第二導電型ウェル領域の第一導電型エミッタ領域と第一導電型ドリフト層の表面露出部とに挟まれたチャネル領域の表面上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、第二導電型ウェル領域と第一導電型エミッタ領域の表面に共通に接触して設けられたエミッタ電極と、第一導電型ドリフト層の裏面側に設けられたコレクタ電極とを有する絶縁ゲートトランジスタにおいて、第二導電型ウェル領域と第一導電型エミッタ領域との不純物分布が、マスク端がチャネル領域の幅を広げる方向のオフセットをもつ異なるマスクにより導入された不純物分布であることを特徴とする絶縁ゲートトランジスタ。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L 29/78 652 E
, H01L 29/78 652 B
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 655 A
, H01L 29/78 658 A
