特許
J-GLOBAL ID：200903079384274596
半導体装置及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-201282
公開番号（公開出願番号）：特開2001-028379
出願日： 1999年07月15日
公開日（公表日）： 2001年01月30日
要約：
【要約】【解決手段】 半導体チップの外部接続用電極に接続した導電性ペースト硬化物がモールテド樹脂に囲われ、該モールド樹脂表面に前記導電性ペーストが露出し、前記導電性ペーストが露出した領域に外部接続用の半田バンプが形成されていることを特徴とする。【効果】 長時間メッキによる金属イオンなどによる汚染を無くし、樹脂硬化物を含むバンプで構成することで熱応力を樹脂の弾性で受け止め破壊を防止したため信頼性を高めることができ、かつ工程処理時間の短縮と設備費を圧縮できコスト低減が達成できた。
請求項（抜粋）：
半導体チップの外部接続用電極に接続した導電性ペースト硬化物がモールド樹脂に囲われ、該モールド樹脂表面に前記導電性ペーストが露出し、前記導電性ペーストが露出した領域に外部接続用の半田バンプが形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/92 602 F
, H01L 21/92 604 E
, H01L 23/12 L
