特許

J-GLOBAL ID：200903079386813141

半導体製造装置用炭素部材

発明者： 辰己 良昭 ,  宮田 征一郎
出願人/特許権者： 株式会社創造科学 ,  有限会社宮田技研
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-330864
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153770
出願日： 1994年11月28日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【目的】 半導体製造装置に使用される炭素材料の新しい構造に関わる。【構成】 表面に溶融Siを含浸させてなることを特徴とする

請求項（抜粋）：

表面に溶融Siを含浸させ、該含浸層の上にSi膜を形成してなることを特徴とする半導体製造装置用炭素部材。

IPC (6件)：

H01L 21/68 ,  C01B 31/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/22 501 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/302 B