特許

J-GLOBAL ID：200903079392251937

バルク単結晶の成長方法

発明者： 土井 秀之
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050521
公開番号（公開出願番号）：特開平7-257993
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1995年10月09日
要約：

【要約】【目的】 縦型成長装置を用い、昇華法、ハロゲン輸送法等の化学輸送法で種結晶上に、形状の整ったバルク単結晶を気相成長する方法を提供しようとするものである。【構成】 結晶原料を必要に応じて昇華性のハロゲンとともに縦型成長容器の上方の高温領域に配置して昇華させ、下方の低温領域に配置した種結晶上に単結晶を成長させる方法において、種結晶の周辺部をカバーで被覆して成長することを特徴とするバルク単結晶の成長方法である。

請求項（抜粋）：

結晶原料を縦型成長容器の上方の高温領域に配置して昇華させ、下方の低温領域に配置した種結晶上に単結晶を成長させる方法において、種結晶表面の周辺部をカバーで被覆して成長させることを特徴とするバルク単結晶の成長方法。