特許
J-GLOBAL ID：200903079392639870
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030667
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240460
出願日： 1994年02月28日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：
【要約】【目的】SOG膜を含んだ層間絶縁膜において、クラック等の発生を抑止し、耐水性の優れた製造方法を提供する。【構成】下層配線107A等を形成し、プラズマ酸化膜108を形成した後、水素化シルセスキオキサン類を主成分とする溶液の回転塗布,第1の熱処理によるプリベーク,および第1の熱処理より高い温度での第2の熱処理によりリフローされたSOG膜109aを形成する。続いて、プラズマ酸化膜110aを形成する。
請求項（抜粋）：
絶縁膜を介してシリコン基板表面上に複数の下層配線を形成する工程と、第1のプラズマ化学気相成長法により、前記下層配線表面と前記絶縁膜表面とを覆う第1の酸化シリコン膜を形成する工程と、水素化シルセスキオキサン類((HSiO3/2 )n )を主成分とする溶液を前記第1の酸化シリコン膜表面に塗布し、第1の熱処理によるプリベークを行ない、該第1の酸化シリコン膜表面を覆うSOG膜を形成する工程と、前記第1の熱処理より高い温度による第2の熱処理により、前記SOG膜をリフローする工程と、第2のプラズマ化学気相成長法により、リフローされた前記SOG膜表面を覆う第2の酸化シリコン膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
FI (2件)：
H01L 21/90 M
, H01L 21/90 P
