特許
J-GLOBAL ID：200903079393482347
混成集積回路
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-137712
公開番号（公開出願番号）：特開平5-308115
出願日： 1992年04月28日
公開日（公表日）： 1993年11月19日
要約：
【要約】【目的】 メッキされたリードフレームと電子部品との間の接合部分における抵抗値を小さくすることにより回路設計上の値が変化しないようにすること。【構成】 Cu(銅)リードフレーム1にはチップコンデンサ6が接合されている。このチップコンデンサ6の両端のAg-Pd(銀-パラジウム)メッキ層5はAg(銀)ペースト4を介してCu リードフレーム1と電気的に接続されている。Agペースト4にはイミド化合物が添加されており、リン還元無電解Ni(ニッケル)メッキ層2の表面の酸化層3が除去される。これにより、混成集積回路30ではCu リードフレーム1のチップコンデンサ6との接合面における導通状態が良好となり、その間の抵抗値を抑えることができると共に抵抗値のばらつきもなくすことができる。
請求項（抜粋）：
リードフレームと電子部品とをAg(銀)ペーストを用いて電気的な接合を行う混成集積回路において、前記リードフレームの無電解メッキ層の表面における絶縁性の酸化層を少なくとも接合面において除去又は排除することを特徴とする混成集積回路。
IPC (5件)：
H01L 23/50
, H01L 25/00
, C23C 18/16
, H01G 1/14
, H05K 3/34
