特許
J-GLOBAL ID：200903079395379829
ホトダイオードアレイ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-331187
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352094
出願日： 2000年10月30日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：
【要約】【課題】 クロストークを抑制すると共に高品質な光像検出を達成することができるホトダイオードアレイを提供する。【解決手段】 このホトダイオードアレイによれば、複数のホトダイオードPD1,PD2間に素子分離用のトレンチ溝GRVが形成されているので、各ホトダイオード間のクロストークを抑制できる。トレンチ溝GRVは、ホトダイオードPD1,PD2におけるpn接合の形成後に、このpn接合を厚み方向に横断するように形成されている。したがって、ホトダイオードのpn接合がトレンチ溝GRVの内面に接触するまで延びることとなり、実質的な受光領域を広くすることができる。
請求項（抜粋）：
同一半導体基板上に一次元又は二次元状に形成された複数のホトダイオードを備え、前記複数のホトダイオード間に素子分離用のトレンチ溝が形成されたホトダイオードアレイにおいて、前記トレンチ溝は前記ホトダイオードにおけるpn接合の形成後に、このpn接合を横断するように形成されることを特徴とするホトダイオードアレイ。
Fターム (17件)：
5F049MA02
, 5F049MB03
, 5F049MB12
, 5F049NA04
, 5F049NA05
, 5F049NA19
, 5F049NA20
, 5F049NB03
, 5F049NB05
, 5F049NB07
, 5F049NB08
, 5F049PA09
, 5F049PA14
, 5F049PA17
, 5F049RA04
, 5F049SS03
, 5F049SZ10
