特許
J-GLOBAL ID:200903079398273355

水素吸蔵電極の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三枝 英二 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-308727
公開番号(公開出願番号):特開平5-144434
出願日: 1991年11月25日
公開日(公表日): 1993年06月11日
要約:
【要約】【構成】水素吸蔵合金を導電性支持体に圧着後、湿式電気めっき法もしくは無電解めっき法により銅、鉄、ニッケル、コバルト及びパラジウムの少なくとも一種を析出させるか、或いは水素吸蔵合金を導電性支持体に圧着後、次亜リン酸塩及び水素化ホウ素化合物の少なくとも一種の還元剤で処理することにより電解を形成することを特徴とする水素吸蔵電極の製造方法。【効果】製造工程が簡略であり、得られた電極は、水素吸蔵のための活性化が容易で水素が円滑に吸蔵され、電解液に対して化学的に安定である。
請求項(抜粋):
水素吸蔵合金を導電性支持体に圧着後、湿式電気めっき法もしくは無電解めっき法により、銅、鉄、ニッケル、コバルト及びパラジウムの少なくとも一種を析出させるか、或いは水素吸蔵合金を導電性支持体に圧着後、次亜リン酸塩及び水素化ホウ素化合物の少なくとも一種の還元剤で処理することにより電極を形成することを特徴とする水素吸蔵電極の製造方法。
IPC (5件):
H01M 4/26 ,  C23C 18/31 ,  C23C 22/07 ,  C23C 22/78 ,  C25D 7/00
引用特許:
審査官引用 (5件)
  • 特開昭63-175342
  • 特開平3-245460
  • 特開昭63-266767
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