特許

J-GLOBAL ID：200903079398486014

半導体装置及びその製造方法

発明者： 二ノ宮 正也
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-225519
公開番号（公開出願番号）：特開2001-053163
出願日： 1999年08月09日
公開日（公表日）： 2001年02月23日
要約：

【要約】【課題】 フィルタ回路を追加しなくても所望の帯域のノイズを低減することのできる半導体装置及びその製造方法を提供すること。【解決手段】 半導体基板と、半導体基板に形成され第1の周波数以下の帯域で動作する第1の系統の回路と、半導体基板に形成され第1の周波数よりも低い第2の周波数以下の帯域で動作する第2の系統の回路とを具備し、第1の系統の回路に含まれる少なくとも1つのトランジスタが第1の厚さを有するゲート絶縁膜を含み、第2の系統の回路に含まれる少なくとも1つのトランジスタが第1の厚さよりも大きい第2の厚さを有するゲート絶縁膜を含む。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板に形成され、第1の周波数以下の帯域で動作する第1の系統の回路と、前記半導体基板に形成され、前記第1の周波数よりも低い第2の周波数以下の帯域で動作する第2の系統の回路と、を具備し、前記第1の系統の回路に含まれる少なくとも1つのトランジスタが、第1の厚さを有するゲート絶縁膜を含み、前記第2の系統の回路に含まれる少なくとも1つのトランジスタが、前記第1の厚さよりも大きい第2の厚さを有するゲート絶縁膜を含むことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8238 ,  H01L 27/092 ,  H03K 19/0948

FI (2件)：

H01L 27/08 321 D ,  H03K 19/094 B

Fターム (20件)：

5F048AA07 ,  5F048AB04 ,  5F048AB06 ,  5F048AB07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BB16 ,  5F048BE03 ,  5F048BE06 ,  5F048BE09 ,  5J056AA00 ,  5J056AA03 ,  5J056BB10 ,  5J056BB32 ,  5J056DD13 ,  5J056DD29 ,  5J056HH00 ,  5J056KK02