特許
J-GLOBAL ID：200903079401610279
半導体装置の白金膜蝕刻方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-023493
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223604
出願日： 1998年02月04日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置キャパシタの下部電極に使われる白金膜の蝕刻方法を提供する。【解決手段】 白金膜108上に、Tiで構成された接着層106が酸素が豊富な蝕刻ガスを使用すればTiOxに変わって付加的な蝕刻マスクとして作用する特性と、この様なTiOx層が全体的な接着層マスク110が侵食されない程度に十分に形成される特性を利用して、白金膜108をオーバエッチングすることで白金膜108の蝕刻傾斜度を改善させる。TiOx層が、接着層マスク110の侵食がなされない程度に十分に形成される温度は、半導体基板100の温度として、120〜300°Cの範囲である。
請求項（抜粋）：
下地膜が形成された半導体基板に白金膜を形成する段階と、前記白金膜の上部に接着層を形成する段階と、前記接着層の上部にマスク層を形成する段階と、前記マスク層をパターニングしてマスクパターンを形成する段階と、前記マスクパターンを利用して下部の接着層をパターニングする段階と、前記半導体基板をプラズマ蝕刻設備で加熱させる段階と、前記マスクパターンとパターニングされた接着層を蝕刻マスクとして下部の白金膜を蝕刻する段階と、前記マスクパターンを除去する段階とを具備することを特徴とする半導体装置の白金膜蝕刻方法。
IPC (4件)：
H01L 21/306
, C23F 4/00
, H01L 27/108
, H01L 21/8242
H01L 21/306 F
, C23F 4/00 A
, H01L 27/10 651
