特許

J-GLOBAL ID：200903079406061486

ウエハの薄厚加工方法及び装置

発明者： 大森 整 ,  吉川 研一 ,  島田 佳宏
出願人/特許権者： 理化学研究所 ,  新世代加工システム株式会社 ,  有限会社パックビジョン
代理人 (1件)： 堀田 実
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-319775
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134450
出願日： 2000年10月19日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】 単一工程で短時間に250μm以下の厚さまでウエハを薄厚化でき、かつ加工傷が少なく破損率を低減できるウエハの薄厚加工方法及び装置を提供する。【解決手段】 ウエハ1の表面にデバイス2を形成し、その上に絶縁膜を形成した後、ウエハを裏返して円板4上に真空チャックする真空チャック工程(A)と、ウエハの裏面をダイヤモンド砥粒を有する導電性砥石を用いてELID研削するダイヤモンド研削工程(B)と、メカノケミカル作用を生じる砥粒を有する導電性砥石を用いてELID研削するメカノケミカル研削工程(C)とからなり、ダイヤモンド研削工程(B)とメカノケミカル研削工程(C)を同一機上で行う。

請求項（抜粋）：

ウエハ(1)の表面にデバイス(2)を形成し、その上に絶縁膜を形成した後、ウエハを裏返して円板(4)上に真空チャックする真空チャック工程(A)と、ウエハの裏面をダイヤモンド砥粒を有する導電性砥石を用いてELID研削するダイヤモンド研削工程(B)と、メカノケミカル作用を生じる砥粒を有する導電性砥石を用いてELID研削するメカノケミカル研削工程(C)とからなり、ダイヤモンド研削工程(B)とメカノケミカル研削工程(C)を同一機上で行う、ことを特徴とするウエハの薄厚加工方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 631 ,  B24B 7/22 ,  B24B 53/00

FI (3件)：

H01L 21/304 631 ,  B24B 7/22 Z ,  B24B 53/00 D

Fターム (7件)：

3C043BA09 ,  3C043CC07 ,  3C043CC13 ,  3C047AA13 ,  3C047AA15 ,  3C047AA25 ,  3C047AA27