特許
J-GLOBAL ID：200903079409522280
バイポーラ型トランジスタの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-157807
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005618
出願日： 1992年06月17日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 バイポーラ型トランジスタのエミッタ拡散工程において、拡散炉内のウェハセット位置の違いによるエミッタ拡散のバラツキを解消し歩留りの向上を図る。【構成】 ベース拡散層6上に不純物層(PSG膜)10をデポジションした後、ドライブイン拡散前に不純物層(PSG膜)10上に低温で酸化膜17を形成してなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基板に形成した第2導電型のベース拡散層上に不純物層をデポジションし、その後ドライブイン拡散を行って前記ベース拡散層内に第1導電型のエミッタ拡散層を形成するバイポーラ型トランジスタの製造方法において、前記不純物層のデポジションの後、ドライブイン拡散前に前記不純物層上に低温にて酸化膜を形成してなることを特徴とするバイポーラ型トランジスタの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/225
