特許

J-GLOBAL ID：200903079411838065

回転式気相薄膜成長装置

発明者： 辛 平 ,  太田 一雄 ,  大橋 忠 ,  茶木 勝弘
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 木下 茂 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-323866
公開番号（公開出願番号）：特開平11-140650
出願日： 1997年11月10日
公開日（公表日）： 1999年05月25日
要約：

【要約】【課題】 気相成長反応時に発生するウエハ基板の面内温度差、特に、ウエハ中央部と外周縁部及びその近傍との温度差が低減され、それに起因して発生する熱応力を可及的に低減でき、その結果として格子スリップ等がなく、物性の均質なウエハ基板積層薄膜を得ることのできる回転式気相薄膜成長装置を提供する。【解決手段】 加熱用ヒータ15からウエハ載置部6に向けられた熱放射は、前記貫通開口1aを通して直接ウエハ基板Wに伝達される共に、ウエハ載置部6を透過して載置されたウエハ基板Wに伝達され、加熱用ヒータ15から底面部4に向けられた熱放射は、放射熱誘導手段7によって内側壁面部2を通して載置されたウエハ基板の側面方向から伝達されるようになされている。

請求項（抜粋）：

ウエハ基板を載置、保持する基板ホルダ及びその下方にウエハ基板加熱用ヒ-タを備えた反応炉からなり、ウエハ基板をホルダと共に回転させながら、反応ガスを上方から流下させ、その表面に薄膜を成長させる回転式気相薄膜成長装置において、前記基板ホルダは、外周縁と内周縁とで画定される環状のホルダ上面部と、該内周縁から下方に延びる内側壁面部と、該内側壁面から内方へ延設した中央部に貫通開口を有するウエハ載置部と、ホルダ上面の外周縁から下方に延びた外周側面部と、底面部とを有し、加熱用ヒ-タからウエハ載置部に向けられた熱放射は、前記貫通開口を通して直接ウエハ基板に伝達される共に、ウエハ載置部を透過して載置されたウエハ基板に伝達され、加熱用ヒ-タから底面部に向けられた熱放射は、放射熱誘導手段によって内側壁面部を通して載置されたウエハ基板の側面方向から伝達されるようになされていることを特徴とする回転式気相薄膜成長装置。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/44 G ,  C23C 16/46 ,  H01L 21/205