特許

J-GLOBAL ID：200903079423445832

化合物半導体素子

発明者： 鈴木 由佳里
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 菅原 正倫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-326805
公開番号（公開出願番号）：特開2003-133332
出願日： 2001年10月24日
公開日（公表日）： 2003年05月09日
要約：

【要約】【課題】 GaN系の化合物半導体素子において、チャネル層に供給されるキャリア密度を有効に増加でき、大出力化を可能とする素子構造を提供する。【解決手段】 HEMT1は、Gaを必須とするIII族元素窒化物からなるチャネル層119と、該チャネル層119の層厚方向両側に配置されるとともに、それぞれチャネル層119よりも伝導体底エネルギーが高く、かつGaを必須とするIII族元素窒化物により構成され、n型にドープされた1対の電子供給層110を有することを特徴とする。該構造によると、チャネル層119の層厚方向両側に電子供給層110を配置することで、チャネル層119の両面に2DEG層を形成できる。その結果、チャネル層に供給されるキャリア密度を有効に増加できるので、片面のみに2DEG層を形成する構成と比較して、素子の大出力化を図ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

Gaを必須とするIII族元素窒化物からなるチャネル層と、該チャネル層の層厚方向両側に配置されるとともに、それぞれ前記チャネル層よりも伝導体底エネルギーが高く、かつGaを必須とするIII族元素窒化物により構成され、n型にドープされた1対の電子供給層とを有することを特徴とする化合物半導体素子。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

Fターム (14件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ03 ,  5F102GR04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102HC01