特許
J-GLOBAL ID：200903079425857860
半導体容量式加速度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-316790
公開番号（公開出願番号）：特開平6-160425
出願日： 1992年11月26日
公開日（公表日）： 1994年06月07日
要約：
【要約】【構成】P型または、N型シリコン基板の上下面にそれぞれ数μmのN型または、P型領域をエピタキシャル成長または、ウエハの張り合わせにより形成し、PNジャンクションでエッチストップする。【効果】本発明によれば、電極間ギャップの高精度化に効果が有り、しかもPNジャンクションで自動的にエッチングがストップするため作業性の向上にも効果がある。
請求項（抜粋）：
シリコン基板をエッチングにより、カンチレバーとその先端に可動電極を形成し、可動電極に相対して2組のシリコン基板にそれぞれパイレックスガラス等をスパッタ等により形成後、その上面にアルミニュウム(Al)等の固定電極を設けた構造体において、前記3層構造である可動電極と固定電極の空隙(容量)の変化のための空隙の寸法が所定の値に拘束又は制御され、その変位から出力信号を取り出すものにおいて、前記カンチレバーを形成したシリコン基板に可動電極と固定電極間の空隙を精度よく形成するためのエピ層を設けたことを特徴とした半導体容量式加速度センサ。
IPC (2件)：
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