特許
J-GLOBAL ID：200903079426342384
ベーパ処理装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-059791
公開番号（公開出願番号）：特開平6-275596
出願日： 1993年03月19日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハのベーパ乾燥におけるウエハ表面の酸化抑止。【構成】 上部に冷却用蛇管2を有しかつ下部に処理液(IPA液)10を収容するベーパ槽3と、前記ベーパ槽内のIPA液10を蒸気化させるヒータ11と、前記ベーパ槽の上部の蒸気層17にウエハ12を収容したカセット20を搬出入するローダ5とを有するベーパ乾燥装置であって、前記ベーパ槽に搬入されたウエハ12に対して蒸気化したIPA噴射液13を噴霧する噴射ノズル4が設けられている。ベーパ槽3内にカセット20が入れられると、温度が下がり、蒸気層17は降下するが、前記IPA噴射液13によってウエハ12は被われるため、ウエハ12は高い温度下で空気に触れることなく酸化が抑止される。
請求項（抜粋）：
上部に冷却用蛇管を有しかつ下部に処理液を収容するベーパ槽と、前記ベーパ槽内の処理液を蒸気化させる蒸気化装置と、前記ベーパ槽の上部の処理蒸気中に被処理物を搬出入するローダとを有するベーパ処理装置であって、前記ベーパ槽に搬入された被処理物に対して処理液を噴霧する噴射装置が設けられていることを特徴とするベーパ処理装置。
IPC (2件)：
H01L 21/304 361
, H01L 21/304
