特許

J-GLOBAL ID：200903079428006942

半導体光センサ及び酸化膜形成方法

発明者： 田口 英二 ,  米田 清 ,  河合 和彦 ,  花房 寛
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029161
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244448
出願日： 1993年02月18日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】 高感度のpin接合型半導体光センサを提供する。Si1-x Gex膜表面に良質な酸化膜を形成する。【構成】 絶縁基板1上に設けられた、単結晶Si膜2,単結晶Si1-x Gex 膜3,単結晶Si膜4からなる単結晶半導体膜中に、絶縁基板1の表面と垂直なpin接合面を有する光感知半導体素子4が形成され、その光感知半導体素子4のi型領域4bの幅が3〜20μmである。500 °C以下の温度にて、Si1-x Gex 膜の表面にオゾンを照射してその表面に熱酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：

積層形成されたSi膜及びSi1-x Gex 膜(x≦0.3)からなる単結晶半導体膜が絶縁物の表面に設けられ、該絶縁物の表面に垂直な接合面を有する横型pin接合からなる光感知半導体素子が前記単結晶半導体膜中に形成された半導体光センサにおいて、前記pin接合におけるi層領域の幅が3μm〜20μmであることを特徴とする半導体光センサ。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  H01L 21/316

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-218078
  
• 特公昭59-032514
  
• 特開平2-000377
  
• 特開昭59-075636