特許
J-GLOBAL ID：200903079432106765
接合方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-180048
公開番号（公開出願番号）：特開平5-029183
出願日： 1991年07月22日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】2枚のシリコンウエーハを直接面接合することができれば種々の用途がある。このような直接接合をするには接合すべき面を清浄にする必要がある。本発明は実施容易な清浄化法を提供することを目的とする。【構成】接合すべき面に近接して放電プラズマを発生させ、プラズマの衝撃により接合すべき面の酸化膜などの皮膜や不純物などの異物を蒸発させ、かつその面に熱や歪みなどのエネルギーを蓄積して活性化させる。これにより接合すべき面を重ね合わせて加熱あるいは加圧を加熱した場合、接合される面の間の原子移動が容易になり、強固な結合が得られる。
請求項（抜粋）：
同一物質からなる二つの素体を接合する方法であって、各素体の接合すべき面に近接する空間に放電プラズマを発生させたのち、両面を重ね合わせて加熱して接合することを特徴とする接合方法。
引用特許：
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