特許

J-GLOBAL ID：200903079433257783

パターン形成方法

発明者： 小林 純一郎
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-268337
公開番号（公開出願番号）：特開平6-120128
出願日： 1992年10月07日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】【目的】 レジストマークによるEB位置決めを可能にして、位置精度の高いパターン形成方法を得る。【構成】 EBレジスト層12上のフォトレジスト層13に位置決め用開口部13b等を形成した後、Al膜14を全面に被着させたことにより、該開口部13bのEB検出を容易にした。このため、開口部13a内のEBレジスト12のEB直描の位置精度が高くなる。

請求項（抜粋）：

レジスト層の所定位置に段差部を形成し、該レジスト層上面に2次電子反射層を形成した後、前記段差部を位置検出マークとして用いEB直描を行うことを特徴とするパターン形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/30 341 P ,  H01L 29/80 F