特許

J-GLOBAL ID：200903079439561816

半導体装置の製造方法

発明者： 佐々木 和久
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-205356
公開番号（公開出願番号）：特開平10-032326
出願日： 1996年07月16日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】 制御性の良い傾斜型LDD(Profiled LDD) の構造の半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 P(リン)またはAs(砒素)等の不純物を、半導体基板1に対して垂線方向から30〜45度程度傾けてn- 層に注入し、その後さらに、P(リン)またはAs(砒素)を、前記半導体基板1に対して垂線方向から0〜10度程度傾けて前記n- 層に注入するようにすることにより、前記n- 層の不純物濃度の勾配を、前記n- 層に対して斜めに注入する不純物の注入エネルギーと注入角度とで制御できるようにして、熱拡散を用いた場合よりも不純物濃度勾配の制御性を向上させることができるようにする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の垂線に対し、30乃至45度傾斜させて第1導電型の不純物を前記半導体基板に注入する第1の工程と、前記半導体基板の垂線に対し、0乃至10度傾斜させて前記第1導電型の不純物を前記第1の工程よりもドーズ量が高く、かつエネルギーが低い注入条件で前記半導体基板に注入する第2の工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/336