半導体装置の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-225786
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151964
出願日： 1998年12月03日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】シリコン基板のエッチングを効率よく低コストで均一に行い、コストダウンを図ることができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】酸化膜31aが形成されたシリコン基板31からSOI構造を有するシリコン基板32を作製し、この酸化膜31aが形成されたシリコン基板31を削って薄膜化する工程を含む半導体装置の製造方法において、前記薄膜化する工程に適用するプラズマエッチングの条件を、処理室内に供給される酸素とフッ素ガスを含む混合ガスの放電圧力Pと電極間距離Lの積PLが2.5[Pa・m]〜15[Pa・m]の範囲の値となる条件下でこの平行平板電極間でプラズマ放電を行わせるようにした。これにより、低コスト・高効率のエッチングを行って半導体装置のコストダウンを図ることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の表面に回路を形成する工程と、このシリコン基板の表面に保護膜を形成する工程と、このシリコン基板の裏面を研磨加工して薄化する工程と、前記研磨加工によって前記裏面に残留した加工歪層をプラズマエッチングにより除去する工程を含み、加工歪層をプラズマエッチングにより除去する工程において、処理室内に対向して配置された平行平板電極を構成する下部電極上に前記シリコン基板を載置し、前記下部電極を冷却装置で冷却しながら前記平行平板電極の電極間距離L[m]と前記処理室内の圧力P[Pa]の積PLが2.5[Pa・m]〜15[Pa・m]の範囲の値となる条件下でプラズマ放電を行なってフッ素系ガスよりフッ素ラジカルを生成し、このフッ素ラジカルを前記シリコン基板の裏面に作用させてプラズマエッチングを行なうことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 27/12

FI (2件)：

H01L 27/12 B , H01L 21/302 101 B

Fターム (18件)：

5F004AA06 , 5F004AA16 , 5F004BA07 , 5F004BA09 , 5F004BB18 , 5F004BB21 , 5F004BB25 , 5F004BB28 , 5F004BD03 , 5F004CA02 , 5F004CA05 , 5F004CA06 , 5F004DA01 , 5F004DA18 , 5F004DB01 , 5F004DB03 , 5F004EA38 , 5F004FA07

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭61-256728
特開平4-062921

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